Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510166798.1
IPC分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/28;H01L21/265
申请日期：
2015-04-10
申请人：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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专利名称	Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法
申请号	CN201510166798.1	申请日期	2015-04-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-23	公开/公告号	CN106158948A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/778 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/778 带有二维载流子气沟道的，如HEMT〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	申请人地址	江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	当前权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明人	张志利;蔡勇;张宝顺;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	王锋

摘要

本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法。该器件包括源、漏、栅电极以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，第一半导体设置于源、漏电极之间，栅电极设于第二半导体表面，第二半导体内还包含P型掺杂区，P型掺杂区分布于栅电极下方但在第一半导体上方，栅电极包括：与第二半导体形成肖基特接触的、作为离子注入能量吸收层的第一栅电极材料层，以及叠设在第一栅电极材料层上的第二栅电极材料层。本发明可以有效的实现增强型HEMT器件，并且器件的阈值电压可以通过注入的离子剂量而调节，制作工艺简单、重复性好，适合工业化生产。

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