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一种基于高K材料的有机非易失性的存储器件及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610070604.2
  • IPC分类号:H01L51/05;H01L51/40
  • 申请日期:
    2016-03-24
  • 申请人:
    华南师范大学
著录项信息
专利名称一种基于高K材料的有机非易失性的存储器件及其制备方法
申请号CN201610070604.2申请日期2016-03-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-05-18公开/公告号CN105591029A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/05IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;0;5;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0查看分类表>
申请人华南师范大学申请人地址
广东省广州市广州大学城华南师范大学先进光电子研究院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南师范大学当前权利人华南师范大学
发明人陆旭兵;许文超;刘俊明
代理机构广州粤高专利商标代理有限公司代理人林瑞云
摘要
本发明涉及有机电子学技术领域,更具体地,涉及一种基于高介电常数(高K材料)的有机非易失性的存储器件及其制备方法。本发明以高K材料氧化铪为电荷捕获层,高K材料氧化铝为阻挡层,聚α‑甲基苯乙烯为隧穿层,并五苯为有源层。氧化铪的高密度深能级使其成为一种可靠的电荷存储材料,原子层沉积生长的氧化铝,致密性好,漏电流小,与硅衬底、氧化铪有较大的带偏,是一种非常好的绝缘栅介质。高K材料的使用可以有效地降低器件的操作电压和擦写脉冲宽度,优化器件的保持特性。本发明器件具有操作电压低、擦写脉冲宽度小、保持与抗疲劳特性优异的特性,同时具有处理温度低(300℃),成本低的优点。

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