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微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210248876.9
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2012-07-17
  • 申请人:
    无锡华润上华半导体有限公司
著录项信息
专利名称微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法
申请号CN201210248876.9申请日期2012-07-17
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2014-01-29公开/公告号CN103543044A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人无锡华润上华半导体有限公司申请人地址
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡华润上华科技有限公司当前权利人无锡华润上华科技有限公司
发明人金志明;刘慧
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人邓云鹏
摘要
本发明涉及一种微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法,包括下列步骤:将待分析样品切片得到样片;将透明的塑料粉用专用固化剂调成糊状,并涂抹在所述样片的上表面;准备一透明片,将所述透明片压平在所述样片涂抹有糊状塑料粉的一面上;待所述糊状塑料粉固化;对所述样片的第一侧面进行抛光,直至磨至待观察的剖面。本发明由于将透明塑料材料填充入MEMS器件悬浮的梳齿结构的缝隙中,增强了结构的强度,避免了抛光过程中悬浮的梳齿结构的坍塌。本发明适用于衬底为任意晶向的器件,且无需采用价格昂贵的CVD设备,相对于传统采用CVD淀积保护膜的方法,能够节约成本。

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