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一种半固态合金脉冲电场制备装置

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN200420055203.2
  • IPC分类号:F27B14/06;B22D45/00
  • 申请日期:
    2004-11-26
  • 申请人:
    中国科学院金属研究所
著录项信息
专利名称一种半固态合金脉冲电场制备装置
申请号CN200420055203.2申请日期2004-11-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号F27B14/06IPC分类号F;2;7;B;1;4;/;0;6;;;B;2;2;D;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院金属研究所申请人地址
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院金属研究所当前权利人中国科学院金属研究所
发明人杨院生;周全;程根发;林刚;李应举
代理机构沈阳科苑专利商标代理有限公司代理人张志伟
摘要
本实用新型涉及半固态合金制备技术,具体为一种半固态合金脉冲电场制备装置,由脉冲电场发生系统、脉冲电场作用系统和加热保温系统三个部分组成,由脉冲电场发生系统产生的脉冲电流通过脉冲电场作用系统施加到合金熔体上并通过加热保温系统控制合金熔体的凝固速度来实现半固态合金的制备。本实用新型充分发挥了脉冲电场对金属凝固组织的控制作用并且体积小、成本低、充电电压低、安全可靠,适用于实验室科学研究和工业生产应用脉冲电场制备半固态合金。

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