一种多晶硅生长铸锭炉

发明专利无效专利

申请号：
CN200910182096.7
IPC分类号：C01B33/037;C30B28/06
申请日期：
2009-07-22
申请人：
管悦

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著录项信息

专利名称	一种多晶硅生长铸锭炉
申请号	CN200910182096.7	申请日期	2009-07-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-01-13	公开/公告号	CN101624187
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/037 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/037 纯化（用区域熔融入C30B 13/00）〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;3;7;;;C;3;0;B;2;8;/;0;6查看分类表>
申请人	管悦	申请人地址	江苏省连云港市海州开发区瀛州南路122号科创公司变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	管悦	当前权利人	管悦
发明人	王波;文林;范钦满;王泽平;丁红波;管悦
代理机构	南京众联专利代理有限公司	代理人	王彦明

摘要

一种多晶硅生长铸锭炉，设有上炉体和下炉体，上炉体固定在机架的上部，下炉体通过开启装置装在机架的下部，上炉体内设有固定的上加热室，导热板的下面设有与上加热室的四壁扣合的承重板，在下炉体的正中开有一孔，在上述的孔部位装有下热场容器，下热场容器设有带独立循环冷却系统的容器壁，在下热场容器内设有硅液溢流承接器，硅液溢流承接器的下端通过升降装置与下热场容器容器壁相接。采用四周加热体、上加热体和下加热体，上、下两个热场进行独立控制，实现上、下热场梯度，操作方便，可以定向凝固生产大规格的多晶硅锭。硅液溢流承接器的设置，能够有效防止坩埚发生破裂或其它原因导致硅液溢出后硅液对炉体的损伤，生产安全可靠。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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