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一种硅基WDM接收器件及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011249407.X
  • IPC分类号:G02B6/42
  • 申请日期:
    2020-11-10
  • 申请人:
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
著录项信息
专利名称一种硅基WDM接收器件及其制备方法
申请号CN202011249407.X申请日期2020-11-10
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-02-19公开/公告号CN112379489A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/42IPC分类号G;0;2;B;6;/;4;2查看分类表>
申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请人地址
上海市长宁区长宁路865号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所当前权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人冯大增;王奕琼;梁虹;武爱民
代理机构广州三环专利商标代理有限公司代理人郝传鑫;贾允
摘要
本申请公开了一种硅基WDM接收器件及其制备方法,所述方法包括:获取SOI晶圆;制备光波解复用器,包括:在所述SOI晶圆上定义光波解复用器区域;在所述光波解复用器区域形成增透膜和电介质材料层,所述增透膜位于所述电介质材料层的一侧;在所述电介质材料层的另一侧形成光栅,在所述光栅与所述电介质材料层之间形成反射膜;制备硅基光波导、探测器和硅基光膜转换器;在所述光波解复用器所述硅基光波导、所述探测器和所述硅基光膜转换器的表面形成保护膜。本申请的硅基WDM接收器件及其制备方法,通过引入电介质材料实现非热敏光波解复用器,可以降低器件的光学折射率和热光系数,提高器件性能,有助于减小集成器件的体积、降低成本。

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