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具有围绕栅极的垂直开关的三维存储器及其方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201380041340.2
  • IPC分类号:H01L27/24;G11C13/00
  • 申请日期:
    2013-06-13
  • 申请人:
    桑迪士克3D有限责任公司
著录项信息
专利名称具有围绕栅极的垂直开关的三维存储器及其方法
申请号CN201380041340.2申请日期2013-06-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-04-15公开/公告号CN104520995A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/24IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;G;1;1;C;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人桑迪士克3D有限责任公司申请人地址
美国得克萨斯州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人桑迪士克科技有限责任公司当前权利人桑迪士克科技有限责任公司
发明人Y-T.陈;S.J.雷迪根;R.E.朔伊尔莱因;R-A.塞尔尼
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人邱军
摘要
三维存储器装置的垂直转换层用于转换一组垂直局部位线到对应的一组全局位线,垂直转换层是垂直薄膜晶体管(TFT)的TFT沟道的二维阵列,对齐排列以连接到局部位线的阵列,每个TFT转换局部位线到对应的全局位线。阵列中的TFT具有分别沿着x和y轴的分开长度Lx和Ly,从而栅极材料层形成在x‑y平面中的每个TFT周围的围绕栅极,并且使栅极材料层具有的厚度合并以形成沿着x轴的行选择线,而在各行选择线之间保持分开长度Ls。围绕栅极改善了TFT的转换能力。

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