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适用于任意波长的选择性吸收/发射器件构造方法及系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010475596.6
  • IPC分类号:G02B27/00;G02B5/00
  • 申请日期:
    2020-05-29
  • 申请人:
    上海交通大学
著录项信息
专利名称适用于任意波长的选择性吸收/发射器件构造方法及系统
申请号CN202010475596.6申请日期2020-05-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-08-25公开/公告号CN111580268A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B27/00IPC分类号G;0;2;B;2;7;/;0;0;;;G;0;2;B;5;/;0;0查看分类表>
申请人上海交通大学申请人地址
上海市闵行区东川路800号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海交通大学当前权利人上海交通大学
发明人赵长颖;刘梦琦
代理机构上海汉声知识产权代理有限公司代理人胡晶
摘要
本发明提供了一种适用于任意波长的选择性吸收/发射器件构造方法及系统,包括:步骤S1:将亚波长尺度的介电光栅层和高反射基底层构建成设定结构;步骤S2:选择介电光栅的几何尺寸,包括宽度w和厚度t,满足一定倍数关系;步骤S3:将周期沿着x方向,使得入射光为p偏振,入射波矢沿y轴负方向,入射电场Ex沿着x方向,入射磁场Hz沿z方向,其中,p为亚波长尺度光栅结构的周期;步骤S4:设定结构能有效地将电磁辐射能量集中在光栅平面内。本发明解决了现有的吸收(发射)器件依赖于贵金属材料或者多层膜结构造价和尺度较大的问题。

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