加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种带三角反射区的高压LED芯片

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201420715776.7
  • IPC分类号:H01L33/60;H01L25/13
  • 申请日期:
    2014-11-26
  • 申请人:
    苏州新纳晶光电有限公司
著录项信息
专利名称一种带三角反射区的高压LED芯片
申请号CN201420715776.7申请日期2014-11-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/60IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;6;0;;;H;0;1;L;2;5;/;1;3查看分类表>
申请人苏州新纳晶光电有限公司申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区苏虹东路388号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州新纳晶光电有限公司当前权利人苏州新纳晶光电有限公司
发明人翁启伟;傅华;张存磊;王勇;吴思;王怀兵
代理机构南京苏科专利代理有限责任公司代理人陆明耀;陈忠辉
摘要
本实用新型揭示了一种带三角反射区的高压LED芯片,包括衬底,及在衬底上由下及上依次设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层,所述第二半导体层上沉积有透明导电层,所述芯片上刻蚀有隔离槽,所述隔离槽将芯片隔离形成至少两个芯片岛,所述隔离槽刻蚀至衬底,相邻所述芯片岛之间通过介质绝缘层绝缘,相邻所述芯片岛通过架设于隔离槽上的电桥连接,所述相邻的芯片岛之间还设置有反射岛,相邻芯片岛光能经过反射岛进行反射后射出。本实用新型突出效果为:藉由隔离槽中的反射岛将芯片侧面的出光发射至正面,避免光再次进入相邻芯片岛而损耗。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供