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使用横向外延过生长制造肖特基势垒二极管

发明专利有效专利

申请号：
CN201910428595.3
IPC分类号：H01L29/06;H01L29/872;H01L27/02;H01L21/329
申请日期：
2019-05-22
申请人：
英特尔公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	使用横向外延过生长制造肖特基势垒二极管
申请号	CN201910428595.3	申请日期	2019-05-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-12-31	公开/公告号	CN110634940A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;H·W·田;P·菲舍尔;W·哈菲兹
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	林金朝;王英

摘要

本文公开了一种二极管。所述二极管包括半导体衬底、形成在衬底上方的硬掩模、与硬掩模的侧面相邻的第一材料的垂直取向的部件、以及在硬掩模的顶部上的第一材料的横向取向的部件。所述横向取向的部件被定向在第一方向和第二方向上。二极管还包括在第一材料顶部的第二材料。第二材料形成肖特基势垒。

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