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半导体器件和制造半导体器件的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010186965.X
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L27/02;H01L21/8234
  • 申请日期:
    2020-03-17
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称半导体器件和制造半导体器件的方法
申请号CN202010186965.X申请日期2020-03-17
法律状态公开申报国家暂无
公开/公告日2020-10-02公开/公告号CN111739927A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人姜声珉;金炅泯;金荣睦;禹珉希
代理机构北京市立方律师事务所代理人李娜;王占杰
摘要
提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述方法包括:提供包括第一区域和第二区域的衬底;在所述衬底的所述第一区域中形成第一沟道层;在所述衬底中形成隔离区域,以将所述第一区域的一部分与所述第二区域的一部分电隔离;蚀刻所述衬底的所述第二区域的上表面;形成覆盖所述衬底的所述第一区域中的所述第一沟道层和所述衬底的所述第二区域的保护层;去除所述衬底的所述第二区域上的所述保护层;在所述保护层上和所述衬底的所述第二区域上形成栅极绝缘材料层;以及去除所述衬底的所述第一区域上的所述栅极绝缘材料层和所述保护层。

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