一种用少层黑磷的不同堆垛结构实现激光半导体的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610551668.4
IPC分类号：H01S5/32
申请日期：
2016-07-13
申请人：
东南大学

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著录项信息

专利名称	一种用少层黑磷的不同堆垛结构实现激光半导体的方法
申请号	CN201610551668.4	申请日期	2016-07-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-16	公开/公告号	CN106129811A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/30 激活区的结构或形状；用于激活区的材料〔7〕 H01S5/32 含有PN结的，例如异结的或双异质结的结构（H01S 5/34，H01S 5/36优先）〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;3;2查看分类表>
申请人	东南大学	申请人地址	江苏省南京市四牌楼2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东南大学	当前权利人	东南大学
发明人	雷双瑛;沈海云;黄兰
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	柏尚春

摘要

本发明公开了一种用少层黑磷的不同堆垛结构的半导体激光器及制备方法。利用单层黑磷和三层黑磷的Aδ结结构可构成I型半导体异质结，用于在激光二极管中实现粒子数反转，能够有效的减小工作电流。所述半导体激光二极管由下至上依次包括：下电极(1)、衬底(2)、材料生长缓冲层(3)、下包覆层(4)、有源层(5)、上包覆层(6)和上电极(7)。本发明形成的异质结为同种材料的不同堆垛结构形成的双异质结。相比不同材料构成的异质结，本发明用的同种材料异质结更容易达到晶格匹配，制备工艺也更简单。本发明通过机械剥离的方法来得到不同堆垛结构的少层黑磷。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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