半导体元件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911016292.7
IPC分类号：H01L21/02;H01L23/64
申请日期：
2019-10-24
申请人：
夏泰鑫半导体（青岛）有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体元件及其制备方法
申请号	CN201911016292.7	申请日期	2019-10-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-27	公开/公告号	CN112713081A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;3;/;6;4查看分类表>
申请人	夏泰鑫半导体（青岛）有限公司	申请人地址	山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心219室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏泰鑫半导体（青岛）有限公司	当前权利人	夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
发明人	崔基雄;李河圣;金成基
代理机构	深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司	代理人	彭辉剑;龚慧惠

摘要

一种半导体元件的制备方法，其包括：在一基层上形成介电膜层，该介电膜层含有ZrO2和HfO2中的至少一种；以及采用毫秒退火工艺处理所述介电膜层以使所述介电膜层中含有的ZrO2和HfO2中的至少一种发生晶相变化，所述毫秒退火工艺为在毫秒时间内从200摄氏度左右升温至700至1400摄氏度范围。本发明还提供上述方法制备得到的半导体元件。上述方法采用毫秒退火工艺有效提升该介电膜层的介电常数。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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