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像素结构及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011209855.7
  • IPC分类号:G06F3/041;G06F3/044;G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
  • 申请日期:
    2020-11-03
  • 申请人:
    友达光电股份有限公司
著录项信息
专利名称像素结构及其制造方法
申请号CN202011209855.7申请日期2020-11-03
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-02-05公开/公告号CN112328111A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F3/041IPC分类号G;0;6;F;3;/;0;4;1;;;G;0;6;F;3;/;0;4;4;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3;3;;;G;0;2;F;1;/;1;3;4;3;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;8查看分类表>
申请人友达光电股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人友达光电股份有限公司当前权利人友达光电股份有限公司
发明人李铭轩;童腾赋;陈逸祺;邱冠焴
代理机构隆天知识产权代理有限公司代理人聂慧荃;闫华
摘要
本发明提供一种像素结构及其制造方法。像素结构包括基板、第一有源元件、触控信号线、透明导电层以及透明电极层。第一有源元件与触控信号线位于基板上。透明导电层包括第一电极以及桥接电极。第一电极电性连接至第一有源元件。第一电极具有多个狭缝。桥接电极重叠于触控信号线。透明电极层至少部分重叠于第一电极。触控信号线通过桥接电极而电性连接透明电极层。

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