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半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03822224.8
IPC分类号：H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/82;H01L27/04;H01L21/60
申请日期：
2003-08-01
申请人：
富士通株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN03822224.8	申请日期	2003-08-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-10-12	公开/公告号	CN1682359
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/3205 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/31 在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L 21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择〔2，5〕 H01L21/3205 非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L 21/28）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	富士通株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富士通半导体股份有限公司,富士通微电子株式会社	当前权利人	富士通半导体股份有限公司,富士通微电子株式会社
发明人	渡边健一;池田雅延;木村孝浩
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	高龙鑫;张龙哺

摘要

在用于将元件形成区域和外部进行电连接，附随元件形成区域来形成低介电常数绝缘膜的焊盘形成区域中，形成于焊盘形成区域的低介电常数绝缘膜中的作为通路的Cu膜，与元件形成区域的作为通路的Cu膜相比以高密度地配置，由此，防止内部应力发生时该应力偏向集中在通路中，可以避免由此引起的布线功能的劣化。

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