一种探测器用金属纳米阵列电极及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201810413313.8
IPC分类号：H01L31/0224;H01L31/18;B82Y40/00
申请日期：
2018-05-02
申请人：
中国航发北京航空材料研究院

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专利名称	一种探测器用金属纳米阵列电极及其制备方法
申请号	CN201810413313.8	申请日期	2018-05-02
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-13	公开/公告号	CN108807563A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0224 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0224 电极〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	中国航发北京航空材料研究院	申请人地址	北京市海淀区北京市81号信箱科技发展部变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国航发北京航空材料研究院	当前权利人	中国航发北京航空材料研究院
发明人	戴松喦;祁洪飞;刘大博
代理机构	中国航空专利中心	代理人	陈宏林

摘要

本发明涉及一种探测器用金属纳米阵列电极及其制备方法，该电极为高度有序的金属纳米阵列结构，该透明电极的金属纳米阵列厚度为10～50nm；金属纳米阵列的微孔间宽度为10～100nm；金属纳米阵列孔径为50～500nm。其制备方法为用单分散聚苯乙烯微球组装单层胶体晶体模板，然后利用磁控溅射技术，向模板缝间沉积金属，溅射时间5～10分钟；最后，经有机溶剂超声清洗20～30分钟去除聚苯乙烯微球模板，得到所述透明电极。本发明的透明电极的金属纳米阵列结构可以兼顾高透光率、高导电率、高柔性和低成本等基本要素，在光电器件、光探测器以及半导体发光等方面有广泛的用途；本发明的制备方法工艺简单、易于操作。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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