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钨沉积的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310347388.8
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2013-08-09
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称钨沉积的方法
申请号CN201310347388.8申请日期2013-08-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-02-11公开/公告号CN104347491A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人成鑫华
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人高月红
摘要
本发明公开了一种钨沉积的方法,包括:1)在硅片上,淀积一层介质膜;2)由光刻工艺对介质膜进行图形定义,并在定义好图形的介质膜表面、定义的图形的侧壁和底部沉积一层金属黏附层,然后,在金属黏附层表面沉积一层金属阻挡层;3)将硅片传输到反应腔体A中,在金属阻挡层表面上沉积金属钨,并使金属钨达到指定厚度;4)将硅片传输到刻蚀腔体B中,进行刻蚀工艺;5)再将硅片传输到反应腔体A中,进行进一步金属钨沉积。本发明避免了由于过度的沉积金属钨厚度而带来的一系列工艺问题,在简化流程、节约成本的同时,保证了器件的性能。

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