一种外延薄膜晶圆级剥离方法及其装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202010815225.8
IPC分类号：H01L21/78;H01L21/67;H01L29/20;H01L29/205;H01S3/16;H01S5/30;H01S5/323;H01S5/343
申请日期：
2020-08-13
申请人：
华南师范大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种外延薄膜晶圆级剥离方法及其装置
申请号	CN202010815225.8	申请日期	2020-08-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-01	公开/公告号	CN112018033A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕 H01L21/78 把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L 21/304）〔2，6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0;5;;;H;0;1;S;3;/;1;6;;;H;0;1;S;5;/;3;0;;;H;0;1;S;5;/;3;2;3;;;H;0;1;S;5;/;3;4;3查看分类表>
申请人	华南师范大学	申请人地址	广东省广州市天河区中山大道西55号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南师范大学	当前权利人	华南师范大学
发明人	王幸福;董建奇;姜健
代理机构	佛山粤进知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王余钱

摘要

本发明涉及外延薄膜晶圆级剥离方法及其装置，其包括使用外延方法外延生长未掺杂氮化镓层、重掺杂氮化镓牺牲层和目标层，结合特定方式的电化学剥离方法实现了晶圆级外延薄膜的完整剥离，并且脱离后的外延衬底能够循环使用，有效地降低氮化物的生长成本，实现绿色外延。使用该电化学剥离的方式，将外延薄膜完整剥离并能够转移至目标衬底上，既可实现Si基集成电路、柔性器件等的制备，又可以释放其生长过程中产生的固有内应力，提高器件整体的性能与用途。本发明的剥离方法操作简单，具有较高的可重复性，制备成本低，在氮化物光电器件的研制方面有着广泛的应用前景。

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