一种提高低压阳极铝箔比容的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210010926.X
IPC分类号：H01G9/055
申请日期：
2012-01-13
申请人：
西安交通大学

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著录项信息

专利名称	一种提高低压阳极铝箔比容的方法
申请号	CN201210010926.X	申请日期	2012-01-13
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-07-04	公开/公告号	CN102543478A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G9/055 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G9/00 电解电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件；其制造方法〔2〕 H01G9/004 零部件〔6〕 H01G9/04 电极〔6〕 H01G9/048 以其结构为特征的（H01G 11/22优先）〔6〕 H01G9/055 腐蚀箔电极〔6〕	IPC分类号	H;0;1;G;9;/;0;5;5查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	徐友龙;杜显锋;王杰;毛胜春
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	陆万寿

摘要

本发明提供一种提高低压阳极铝箔比容的方法，能够降低氯离子含量、降低漏电流密度、提高阳极铝箔比容量。本发明主要特征是：利用形成初期的电化学处理将铝箔中的氯离子加快析出并在铝箔中形成均匀致密的氧化铝晶核；通过调整形成液的浓度、温度、交换流量以及加载电压、电流的大小，减少铝箔中残留氯离子与铝箔发生腐蚀反应，使其扩散到形成液中，同时在铝箔中形成大量的氧化铝晶核，在随后的阳极氧化过程中，这些晶核不断长大，提高介质层中晶型氧化铝的含量，从而提高阳极铝箔比容。与未处理的阳极铝箔相比，能提高铝箔比容3～20％、降低漏电流密度40～60％。该技术可直接应用在目前的工业大规模生产中。

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