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一种MIM电容器结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201611065740.9
IPC分类号：H01L23/64
申请日期：
2016-11-28
申请人：
南通沃特光电科技有限公司

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权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种MIM电容器结构
申请号	CN201611065740.9	申请日期	2016-11-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-22	公开/公告号	CN106449607A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/64 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/58 其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置〔5〕 H01L23/64 阻抗装置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;6;4查看分类表>
申请人	南通沃特光电科技有限公司	申请人地址	江苏省南通市海安市城东镇晓星大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南通壹选工业设计有限公司	当前权利人	南通壹选工业设计有限公司
发明人	王汉清
代理机构	北京集智东方知识产权代理有限公司	代理人	张红;程立民

摘要

本发明提供了一种MIM电容器结构，其特征在于，包括：半导体衬底，具有相对的上表面和下表面；形成于所述上表面的功能器件；所述下表面具有一凹槽，形成于所述凹槽中的MIM电容器；其中，所述MIM电容器与所述功能器件电连接。

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