一种台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201921934633.4
IPC分类号：--
申请日期：
2019-11-11
申请人：
中证博芯（重庆）半导体有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件
申请号	CN201921934633.4	申请日期	2019-11-11
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中证博芯（重庆）半导体有限公司	申请人地址	重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中证博芯（重庆）半导体有限公司,中合博芯(重庆)半导体有限公司	当前权利人	中证博芯（重庆）半导体有限公司,中合博芯(重庆)半导体有限公司
发明人	李迈克
代理机构	重庆信航知识产权代理有限公司	代理人	穆祥维

摘要

本实用新型提供一种台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件，包括N型轻掺杂单晶硅衬底，N型轻掺杂单晶硅衬底表面顺序层叠有N型重掺杂单晶硅层、金属硅化物薄层、P型重掺杂Si1‑xGex基区层、N型掺杂单晶硅发射区帽层和N型重掺杂多晶硅发射区层，N型重掺杂多晶硅发射区层至N型掺杂单晶硅发射区帽层刻蚀形成有发射区电极接触台面和基区电极接触台面，N型重掺杂多晶硅发射区层至金属硅化物薄层刻蚀形成有集电区电极接触台面，台面结构表面覆盖有氧化层，电极窗口形成有对应金属电极，基区电极接触区域里沉积有P型重掺杂β‑Si1‑yCy。本申请能提高器件截止频率和增益并减小基区渡越时间且能与常规硅基工艺相兼容。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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