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具有背栅极切换的半导体结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201710447184.X
IPC分类号：H03K19/094;H03K19/0948;H03K19/20
申请日期：
2017-06-14
申请人：
格罗方德半导体公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有背栅极切换的半导体结构
申请号	CN201710447184.X	申请日期	2017-06-14
法律状态	暂无	申报国家	暂无
公开/公告日	2017-12-22	公开/公告号	CN107508593A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K19/094 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K19/00 逻辑电路，即，至少有两个输入作用于一个输出的（用于应用模糊逻辑的计算机系统的电路入G06N 7/02）；倒向电路 H03K19/02 按所用组件的特征进行区分的（H03K 19/003至H03K 19/0175优先）〔3，5〕 H03K19/08 应用半导体器件的（H03K 19/173优先；其中半导体器件仅是二极管整流器的入H03K 19/12）〔3〕 H03K19/094 应用场效应晶体管的〔3〕	IPC分类号	H;0;3;K;1;9;/;0;9;4;;;H;0;3;K;1;9;/;0;9;4;8;;;H;0;3;K;1;9;/;2;0查看分类表>
申请人	格罗方德半导体公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格芯(美国)集成电路科技有限公司	当前权利人	格芯(美国)集成电路科技有限公司
发明人	M·奥托;N·尚
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟;王锦阳

摘要

本发明涉及具有背栅极切换的半导体结构，其关于半导体结构，并且更尤指具有逻辑背栅极切换的电路及操作方法。此电路包括至少一个前栅极接触部及数字背栅极电位，用于至少一个装置的背面上的逻辑功能实作态样。该数字背栅极电位可在两个逻辑电平之间切换。

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