一种基于半导体致冷片的InGaAs光电阴极致冷装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201610904788.8
IPC分类号：F25B21/02
申请日期：
2016-10-18
申请人：
中国电子科技集团公司第五十五研究所

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专利名称	一种基于半导体致冷片的InGaAs光电阴极致冷装置
申请号	CN201610904788.8	申请日期	2016-10-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-04-19	公开/公告号	CN106568230A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	F25B21/02 ? IPC结构图谱： F 机械工程；照明；加热；武器；爆破 F2 照明；加热 F25 制冷或冷却；加热和制冷的联合系统；热泵系统；冰的制造或储存；气体的液化或固化 F25B 制冷机，制冷设备或系统；加热和制冷的联合系统；热泵系统（热传导、热交换或热贮存材料，即制冷剂，或通过化学反应而不是燃烧产生热或冷的材料入C09K 5/00；泵、压缩机入F04；用热泵为住宅或场所供热或提供家用热水入F24D；空调，空气增湿入F24F；采用热泵的流体加热器入F24H） F25B21/00 应用电或磁效应的制冷机器、装置或系统 F25B21/02 应用珀耳贴效应；应用能斯特—厄廷豪森效应（热电元件入H01L 35/00，H01L 37/00）	IPC分类号	F;2;5;B;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第五十五研究所	申请人地址	江苏省南京市中山东路524号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第五十五研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第五十五研究所
发明人	杨杰;王旺平;赵文锦
代理机构	南京君陶专利商标代理有限公司	代理人	沈根水

摘要

本发明是一种基于半导体致冷片的InGaAs光电阴极致冷装置，利用InGaAs阴极与金属封接环的电气连接和导热特性，半导体致冷片通过金属散热片以及与之紧贴的金属封接环对InGaAs阴极进行有效致冷，而半导体致冷片热面的散热通过金属散热器和风扇或水循环装置进行。优点：在器件实际工作过程中，InGaAs阴极处热量可依次通过阴极金属封接环、金属散热片、半导体致冷片、金属散热器、风扇或水循环装置有效传导散出，一方面能显著降低器件常温工作时的暗发射水平，另一方面在高温工作环境下可显著抑制由于阴极暗发射提高而导致的器件整管暗电流的急剧增加，从而扩大器件高温工作范围。

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