半导体存储装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201710888322.8
IPC分类号：G11C8/10;G11C8/12
申请日期：
2017-09-27
申请人：
爱思开海力士有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储装置
申请号	CN201710888322.8	申请日期	2017-09-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-09	公开/公告号	CN108630261A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C8/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C8/00 数字存储器中用于地址选择的装置（用于使用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕 G11C8/10 译码器〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;8;/;1;0;;;G;1;1;C;8;/;1;2查看分类表>
申请人	爱思开海力士有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱思开海力士有限公司	当前权利人	爱思开海力士有限公司
发明人	金定焕;金镇浩;成象铉
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	李辉;刘久亮

摘要

一种半导体存储装置包括：存储单元阵列和行解码器，所述存储单元阵列和所述行解码器沿着第一方向设置在基板上；以及多条联接线，所述多条联接线用于将所述存储单元阵列和所述行解码器电联接。所述联接线中的每一条包括：第一导线，所述第一导线沿着所述第一方向设置；第二导线，所述第二导线与所述第一导线平行地设置；以及焊盘，所述焊盘联接在所述第一导线与所述第二导线之间，并且通过接触插塞电联接至所述存储单元阵列或所述行解码器。所述联接线沿着所述第一方向从相应焊盘的两侧布线。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供