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晶片的加工方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110187256.8
  • IPC分类号:H01L21/268;H01L21/66;H01L21/78
  • 申请日期:
    2021-02-18
  • 申请人:
    株式会社迪思科
著录项信息
专利名称晶片的加工方法
申请号CN202110187256.8申请日期2021-02-18
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-08-24公开/公告号CN113299545A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/268IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;8查看分类表>
申请人株式会社迪思科申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社迪思科当前权利人株式会社迪思科
发明人寺西俊辅;冈田繁史;筑地修一郎;一宫佑希
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人于靖帅;黄纶伟
摘要
本发明提供晶片的加工方法,容易地确认晶片是否在适当的条件下被加工。沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层的晶片的加工方法具有如下的步骤:改质层形成步骤,从该晶片的背面侧照射第一激光束,在该晶片的内部形成改质层;观察用激光束照射步骤,将输出不超过该晶片的加工阈值的第二激光束的聚光点定位于该晶片的内部或正面,一边使该聚光点移动一边照射该第二激光束;拍摄步骤,利用拍摄单元对该第二激光束的反射光进行拍摄;以及判定步骤,根据在该拍摄步骤中拍摄到的图像,判定该晶片的加工状态,该第二激光束成形为与该第二激光束的行进方向垂直的面中的截面形状隔着沿着该分割预定线的轴线不线对称。

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