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含纳米混合抛光粉的磁流变抛光液及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011554452.6
  • IPC分类号:C09G1/02
  • 申请日期:
    2020-12-24
  • 申请人:
    中国人民解放军国防科技大学
著录项信息
专利名称含纳米混合抛光粉的磁流变抛光液及其制备方法
申请号CN202011554452.6申请日期2020-12-24
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-13公开/公告号CN112646496A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09G1/02IPC分类号C;0;9;G;1;/;0;2查看分类表>
申请人中国人民解放军国防科技大学申请人地址
湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国人民解放军国防科技大学当前权利人中国人民解放军国防科技大学
发明人戴一帆;林之凡;彭小强;胡皓;关朝亮;何康宁
代理机构湖南兆弘专利事务所(普通合伙)代理人黄丽
摘要
本发明公开了一种含纳米混合抛光粉的磁流变抛光液及其制备方法。该磁流变抛光液包括40%~70%的基载液、20%~50%的羰基铁粉、1%~15%的纳米混合抛光粉、1%~5%的表面活性剂和0.1%~3%的pH调节剂,纳米混合抛光粉由平均粒径为10nm~100nm的纳米二氧化硅粉和平均粒径为50nm~800nm的纳米金刚石粉组成,二者的体积比为5~9∶4~1,制备方法包括将羰基铁粉、纳米混合抛光粉、基载液混合,然后加入表面活性剂和pH调节剂即得。本发明的磁流变抛光液可实现磁流变抛光高去除效率和高表面质量的兼容,流变性能好,稳定性强,能够实现光学元件的磁流变高效超光滑加工。

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