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折叠空间电荷区肖特基二极管的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910631910.2
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2019-07-12
  • 申请人:
    西安科锐盛创新科技有限公司
著录项信息
专利名称折叠空间电荷区肖特基二极管的制备方法
申请号CN201910631910.2申请日期2019-07-12
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-11-26公开/公告号CN110504166A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人西安科锐盛创新科技有限公司申请人地址
陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场(B座)第2幢1单元22层12202号房51号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安科锐盛创新科技有限公司当前权利人西安科锐盛创新科技有限公司
发明人岳庆冬;王娅
代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘长春;闫家伟
摘要
本发明涉及一种折叠空间电荷区肖特基二极管的制备方法,包括步骤:选取Si衬底;在Si衬底的表面形成绝缘层;在绝缘层的表面形成第一外延层;在第一外延层的表面形成第二外延层;第一外延层和第二外延层之间形成二维电子气;对第二外延层进行离子掺杂;在第二外延层的表面形成第三外延层;在第三外延层上刻蚀形成第一凹槽,并填充;在第三外延层上,且在第一凹槽的两侧形成第一金属电极和第二金属电极。本发明通过在第三外延层上设置第一凹槽,可以降低肖特基二极管的结电容,进而提升能量转换效率;同时,通过在第一外延层和第二外延层之间形成二维电子气,可以获得较高的电子迁移率,减少串联电阻,进一步提升能量转换效率。

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