一种晶体硅片的磷扩散方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310076915.6
IPC分类号：H01L31/18;C30B31/08
申请日期：
2013-03-11
申请人：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种晶体硅片的磷扩散方法
申请号	CN201310076915.6	申请日期	2013-03-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-10	公开/公告号	CN103199152A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;C;3;0;B;3;1;/;0;8查看分类表>
申请人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司	当前权利人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
发明人	万松博;王栩生;章灵军
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	陶海锋;陆金星

摘要

本发明公开了一种晶体硅片的磷扩散方法，包括如下步骤：一种晶体硅片的磷扩散方法，包括如下步骤：(1)恒定源扩散：将待处理的晶体硅片放于扩散炉中，以1~10℃/min的升温速率升温至805~850℃，通入携磷源氮气、干氧和大氮进行恒定源扩散；(2)氧化推进：保持上述温度，停止通入携磷源氮气，同时通入干氧和大氮，进行推进；(3)降温氧化；(4)扩散结束，出舟。实验证明，相对于现有的扩散工艺，采用本发明的方法制备的电池片的开路电压可以提高7mV，短路电流提高70mA，同时填充因子无明显变化，最终的光电转换效率提高了0.3%左右，取得了意想不到的技术效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供