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半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910716710.7
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06
  • 申请日期:
    2019-08-05
  • 申请人:
    株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN201910716710.7申请日期2019-08-05
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-08-25公开/公告号CN111584632A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社东芝,东芝电子元件及存储装置株式会社当前权利人株式会社东芝,东芝电子元件及存储装置株式会社
发明人加藤浩朗;西胁达也;大麻浩平;西口俊史
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人刘英华
摘要
实施方式的半导体装置具备包括第1导电型的第1半导体层的半导体部、设置于半导体部上的第1电极、配置于在半导体部设置的沟槽的内部的控制电极、以及设置于半导体部上并与控制电极电连接的第2电极。控制电极具有:半导体部与第1电极之间的第1部分、半导体部与第2电极之间的第2部分及与第1及第2部分相连的第3部分。半导体部还包括第2导电型的第2半导体层、第1导电型的第3半导体层、及第2导电型的第4半导体层。第2半导体层设置于第1半导体层上,第3半导体层选择性地设置于第2半导体层与第1电极之间。第4半导体层选择性地设置于第2半导体层上,沿着第3部分及第2部分延伸,包含比第2半导体层高浓度的第2导电型杂质。

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