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用于等离子体室的电极的非对称性射频驱动装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200880124338.0
  • IPC分类号:H05H1/34;H01L21/3065
  • 申请日期:
    2008-12-24
  • 申请人:
    应用材料股份有限公司
著录项信息
专利名称用于等离子体室的电极的非对称性射频驱动装置
申请号CN200880124338.0申请日期2008-12-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-12-08公开/公告号CN101911840A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H05H1/34IPC分类号H;0;5;H;1;/;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5查看分类表>
申请人应用材料股份有限公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人应用材料公司当前权利人应用材料公司
发明人乔瑟夫·库德拉;卡尔·A·索伦森;崔寿永;约翰·M·怀特
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司代理人徐金国;钟强
摘要
RF功率耦合至等离子体室的电极上的一个或多个RF驱动点,使得耦合至电极的较靠近该工件通道的半部上的RF功率值超过耦合至该电极的另一半部上多个RF驱动点(如果有的话)的RF功率值。或者,RF功率耦合至等离子体室的电极上一个或多个RF驱动点,使得这些驱动点位置的加权平均在该电极中心与该工件通道之间。该加权平均是利用耦合至该驱动点位置的RF功率的时间平均值来加权每个驱动点位置所计算而得。本发明抵消掉在邻近电极最靠近通道的末端处的等离子体密度的增加,否则在邻近电极最靠近通道的末端处将存在等离子体密度增加的现象。

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