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栅极氧化层的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010620563.2
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L21/336
  • 申请日期:
    2010-12-31
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称栅极氧化层的形成方法
申请号CN201010620563.2申请日期2010-12-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-07-04公开/公告号CN102543704A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人何永根
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华
摘要
本发明提供一种栅极氧化层的形成方法,包括:提供衬底,通过热氧化工艺,在所述衬底上形成栅极氧化层,其中,所述热氧化工艺的反应气体至少包含有氧化亚氮。本发明通过热氧化工艺,在至少包含有氧化亚氮的气体中通过氧化工艺生成栅极氧化层,使得所述栅极氧化层中具有微量或痕量的氮元素,所述氮元素可以阻止后续注入的掺杂离子扩散到栅极氧化层内,避免扩散至栅极氧化层内的掺杂离子对栅极氧化层造成损伤,使得所述栅极氧化层具有良好的薄膜特性,改善栅极氧化层的漏电现象,提高半导体器件的电学性能。

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