非平衡少数载流子寿命测量的多普勒频移产生装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201420873672.9
IPC分类号：G01R31/265
申请日期：
2014-12-31
申请人：
广州半导体材料研究所

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著录项信息

专利名称	非平衡少数载流子寿命测量的多普勒频移产生装置
申请号	CN201420873672.9	申请日期	2014-12-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/265 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕 G01R31/265 无触点测试〔6〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人	广州半导体材料研究所	申请人地址	广东省广州市天河区东莞庄161号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广州半导体材料研究所	当前权利人	广州半导体材料研究所
发明人	谢鸿波;关自强;郭勇文;陈湘如;申浩;周映芬;李斌;柯观振
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	刘培培

摘要

本实用新型公开了一种非平衡少数载流子寿命测量的多普勒频移产生装置，包括底座、限位柱、活动平台及样品台，所述限位柱固定于所述底座上，所述活动平台滑动地固定于所述限位柱上，所述活动平台与所述底座之间设置有第一电磁线圈、活动平台复位机构，所述活动平台的上端面置有微波模块、下端面固定有与所述第一电磁线圈相对的永磁铁，所述样品台固定于所述活动平台的正上方。微波模块通过所述微波发射天线向样品硅片发射微波，样品硅片中有受光激发的载流子将微波向下反射，由于微波模块固定在活动平台上做近似的简谐运动，即两者之间有一个频率差，将信号变成中频信号，避免了处理高频信号而带来上述的技术问题。

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