具有减少的损耗的涂覆有高温超导体的导体及其生产方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110255480.2
IPC分类号：H01L39/24;H01L39/00
申请日期：
2011-07-19
申请人：
布鲁克HTS有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有减少的损耗的涂覆有高温超导体的导体及其生产方法
申请号	CN201110255480.2	申请日期	2011-07-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-03-14	公开/公告号	CN102376869A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L39/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L39/00 应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；按陶瓷形成的工艺或陶瓷组合物性质区分的超导体入C04B 35/00；超导或高导体、电缆或传输线入H01B 12/00；超导线圈或绕组入H01F；利用超导电性的放大器入H03F 19/00）〔2，4〕 H01L39/24 专门适用于制造或处理包含在H01L 39/00组内的器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;9;/;2;4;;;H;0;1;L;3;9;/;0;0查看分类表>
申请人	布鲁克HTS有限公司	申请人地址	德国哈瑙变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	布鲁克HTS有限公司	当前权利人	布鲁克HTS有限公司
发明人	K·施伦格;A·乌苏斯金
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	高青

摘要

具有减少的损耗的涂覆有高温超导体的导体及其生产方法，其中缓冲层(2；22)和HTS层(4；24；65)沉积在基板(1；21)上，该方法具有下列步骤：a)在沉积缓冲层(2；22)之后，表面(2a)被局部粗糙化，导致粗糙化表面(13)，b)非超导的封闭中间层(3；23)被沉积在该粗糙化表面(13)上，以及，c)HTS层(4；24；65)被沉积在该中间层(3；23)上。本发明提供了生产具有减少的损耗并且具有改善的临界电流和临界磁场的涂覆有HTS的导体的简单方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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