PLL电路抗辐照性能评估方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710522652.5
IPC分类号：G01R31/308
申请日期：
2017-06-30
申请人：
西安电子科技大学

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著录项信息

专利名称	PLL电路抗辐照性能评估方法
申请号	CN201710522652.5	申请日期	2017-06-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-11-17	公开/公告号	CN107356864A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/308 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/28 电路的测试，例如用信号故障寻测器（在准备运算或空闲时间期间内测试计算机入G06F11/22） G01R31/302 无触点测试〔5〕 G01R31/308 使用非电离电磁辐射，如光辐射〔5〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;3;0;8查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市雁塔区太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	刘红侠;杜守刚;王树龙;王倩琼
代理机构	陕西电子工业专利中心	代理人	王品华;朱红星

摘要

本发明公开了一种宇航用抗辐照PLL锁相环电路抗辐照性能评估方法，主要解决现有技术在辐照环境下对电路的功能和性能评估不全面的问题，其技术方案为：从工程试验结果及电路内部设计原理出发，根据PLL锁相环电路在地面加速工程辐照试验时所表征出来的功能及性能的变化，结合不同层面用户的需求，提出用PLL单粒子伪失锁截面、PLL单粒子失锁截面、PLL单粒子功能错误截面和PLL单粒子失锁恢复截面四个评估参数所组成的评估列表综合表征宇航用抗辐照PLL电路的抗辐照性能，从而更加系统合理地解决了PLL电路抗辐照性能评估不全面的问题，为宇航用抗辐照PLL锁相环电路的空间工程应用及地面抗辐照加固设计提供参考依据。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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