一种超声波突上结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201120514026.X
IPC分类号：H01L21/67
申请日期：
2011-12-12
申请人：
大连佳峰电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种超声波突上结构
申请号	CN201120514026.X	申请日期	2011-12-12
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	大连佳峰电子有限公司	申请人地址	辽宁省大连市开发区双D港数字三路17号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大连佳峰电子有限公司	当前权利人	大连佳峰电子有限公司
发明人	王云峰
代理机构	大连星海专利事务所	代理人	于忠晶

摘要

本实用新型涉及半导体（集成电路）制造后道工序——粘晶工序中拾取芯片用的一种突上机构。一种超声波突上结构，包括顶针帽、顶针座、顶针，伺服电机和由电机连接的凸轮，还包括超声波发生器和换能器，伺服电机驱动控制凸轮，凸轮驱动连接顶针帽，换能器一端固定在顶针座上，另一端通过线路与超声波发生器连接。本实用机型有益的效果是：由于采用超声波技术，顶针接触到芯片，通过超声波沿顶针方向振荡，使芯片与晶圆盘分离，芯片分离比原顶针顶芯片分离更容易，并不受芯片厚度限制，芯片无顶针顶伤，大幅减少芯片损伤，提高生产效率。

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