一种复合磁场传感器

实用新型有效专利

申请号：
CN201720467098.0
IPC分类号：G01R33/06G01R33/09G01R33/00H01L43/08
申请日期：
2017-04-28
申请人：
黑龙江大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种复合磁场传感器
申请号	CN201720467098.0	申请日期	2017-04-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R33/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R33/00 测量磁变量的装置或仪器 G01R33/02 测量磁场或磁通量的方向或大小（G01R 33/20优先）〔4〕 G01R33/06 采用电磁器件	IPC分类号	G01R33/06;G01R33/09;G01R33/00;H01L43/08查看分类表>
申请人	黑龙江大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	黑龙江大学	当前权利人	黑龙江大学
发明人	赵晓锋;邓祁;艾春鹏;温殿忠
代理机构	北京康思博达知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘冬梅;路永斌

摘要

本实用新型公开了一种复合磁场传感器，其中，所述复合磁场传感器包括磁敏三极管和复合在磁敏三极管上的遂穿磁敏电阻(TMR)；其中，所述磁敏三极管的集电区设置于发射区的上方，所述基区设置于发射区和集电区的一侧，且所述基区制作在硅腐蚀坑内，提高了基区载流子注入能力，进而提高磁敏三极管的磁敏特性。本实用新型所述复合磁场传感器将磁敏三极管与遂穿磁敏电阻进行有效结合，兼具磁敏三极管的较强磁场检测性能以及遂穿磁敏电阻的弱磁场检测性能，实现了对磁场的宽量程检测。

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发明授权

一种复合磁场传感器

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