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掩膜式只读存储器的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN02123233.4
IPC分类号：--
申请日期：
2002-06-13
申请人：
旺宏电子股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	掩膜式只读存储器的制造方法
申请号	CN02123233.4	申请日期	2002-06-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2003-12-31	公开/公告号	CN1464548
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	范左鸿;叶彦宏;詹光阳;刘慕义
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	沙捷;王刚

摘要

一种掩膜式只读存储器的制造方法，此方法提供一基底，再于基底上形成掺杂导体层。接着，图案化此掺杂导体层以形成多个条状掺杂导体层，再以热氧化法于基底与条状掺杂导体层上形成介电层，并同时于条状掺杂导体层下方的基底中形成多个扩散区。然后，于介电层上形成图案化的导体层。

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