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谐振器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910988112.5
  • IPC分类号:H03H9/17;H03H9/10;H03H3/02
  • 申请日期:
    2019-10-17
  • 申请人:
    武汉大学
著录项信息
专利名称谐振器及其制备方法
申请号CN201910988112.5申请日期2019-10-17
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2020-02-11公开/公告号CN110784188A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03H9/17IPC分类号H;0;3;H;9;/;1;7;;;H;0;3;H;9;/;1;0;;;H;0;3;H;3;/;0;2查看分类表>
申请人武汉大学申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城3期D7栋4层01号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉敏声新技术有限公司当前权利人武汉敏声新技术有限公司
发明人孙成亮;徐沁文;刘炎;蔡耀;邹杨
代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人暂无
摘要
本发明提供了谐振器及其制备方法,能够有效地解决晶格失配问题,可以极大地提高谐振性能。本发明提供的谐振器,包括衬底,形成有通孔,和从衬底的背部向着顶部延伸、并且贯穿衬底的凹槽;谐振结构,包括形成在衬底顶面上的单晶氮化物缓冲层,形成在缓冲层上的准单晶氮化物压电层,形成在压电层上的顶电极,形成在衬底背面上、并且延伸至凹槽中与缓冲层相接触的底电极,形成在衬底背面未设置底电极的区域上、并且贯穿衬底、缓冲层、和压电层而与顶电极相接触的引出电极,以及形成在底电极下表面和引出电极上的电极板;和真空封装结构,对衬底及谐振结构位于衬底顶面上的部分进行真空封装,其中,缓冲层和压电层采用同一种氮化物材料。

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