一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板

发明专利有效专利

申请号：
CN201710442818.2
IPC分类号：H01S5/042;H01S5/024
申请日期：
2017-06-13
申请人：
西安理工大学

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著录项信息

专利名称	一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板
申请号	CN201710442818.2	申请日期	2017-06-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-09-05	公开/公告号	CN107134713A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/042 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/04 激励的方法或装置，例如泵激励（H01S 5/06优先）〔7〕 H01S5/042 电激励〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;4;2;;;H;0;1;S;5;/;0;2;4查看分类表>
申请人	西安理工大学	申请人地址	陕西省西安市金花南路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安理工大学	当前权利人	西安理工大学
发明人	林涛;张天杰
代理机构	西安弘理专利事务所	代理人	王珂瑜

摘要

本发明公开了一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板，包括用来安装VCSEL芯片本体的电极A和电极B，VCSEL芯片本体安装在电极A上，VCSEL芯片本体上的芯片引线节点通过电流引线与电极B的表面连接。相比现有的技术，引线条数增加，电流分布的均匀较好，可通入的电流增大，并使得芯片的散热均匀，可以解决现有技术中的引线不均匀而导致的电流不均匀的问题并使得芯片的散热能力增强。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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