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硅中的高浓度掺杂

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201480042330.5
  • IPC分类号:H01L21/22H01L21/24H01L21/30H01L21/322H01L21/324
  • 申请日期:
    2014-07-24
  • 申请人:
    新南创新私人有限公司
著录项信息
专利名称硅中的高浓度掺杂
申请号CN201480042330.5申请日期2014-07-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-04-06公开/公告号CN105474364A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/22IPC分类号H01L21/22;H01L21/24;H01L21/30;H01L21/322;H01L21/324查看分类表>
申请人新南创新私人有限公司申请人地址
澳大利亚新南*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人新南创新私人有限公司当前权利人新南创新私人有限公司
发明人布雷特·杰森·哈拉姆;马修·布鲁斯·爱德华兹;斯图尔特·罗斯·文哈姆;菲利普·乔治·哈默;凯瑟琳·艾米丽·尚;张子文;吕珮玄;林·迈;宋立辉;阿德莱恩·苏吉安托;艾利森·马里·文哈姆;徐光琦
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人张英;宫传芝
摘要
一种具有多个晶体硅区域的硅器件。一种晶体硅区域是掺杂的晶体硅区域。通过将氢原子引入至掺杂的5晶体硅区域内,由此所述氢以库仑力键合一些或所有的掺杂剂原子以钝化各自的掺杂剂原子从而实现钝化掺杂的晶体硅区域中的一些或所有的掺杂剂原子。钝化的掺杂剂原子可以通过加热和光照掺杂的晶体硅区域而断裂至少一些所述掺杂剂‑氢键,而且同时维持产生高浓度的中性氢原子的条件进行重新活化,由此10一些所述氢原子从所述掺杂的晶体硅区域扩散而不会重新结合至掺杂剂原子。

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