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硅基低漏电流固支梁浮动栅的与非门

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510379166.3
  • IPC分类号:H03K19/20;B81B7/00
  • 申请日期:
    2015-07-01
  • 申请人:
    东南大学
著录项信息
专利名称硅基低漏电流固支梁浮动栅的与非门
申请号CN201510379166.3申请日期2015-07-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-12-09公开/公告号CN105141306A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03K19/20IPC分类号H;0;3;K;1;9;/;2;0;;;B;8;1;B;7;/;0;0查看分类表>
申请人东南大学申请人地址
江苏省南京市江宁区东南大学路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东南大学当前权利人东南大学
发明人廖小平;褚晨蕾
代理机构南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)代理人杨晓玲
摘要
本发明的该与非门由两个NMOS管(10)和一个电阻R串联所构成,整个结构基于P型Si衬底(1)上制作,这两个NMOS管(10)均具有固支梁浮动栅(4),该固支梁浮动栅(4)由Al制作,其两端固定在锚区(2)上,中间横跨在栅氧化层(9)上方,在固支梁浮动栅(4)下方有两个下拉电极(5),分布在锚区(2)与栅氧化层(9)之间,下拉电极(5)是接地的,其上还覆盖有氮化硅介质层(6);第一输入信号(A)接一个NMOS管(10)的固支梁浮动栅(4),第二输入信号(B)接另一个NMOS管(10)的固支梁浮动栅(4),信号输出端(Vout)为NMOS管(10)与电阻R之间,这种结构具有低漏电流、低功耗的特点。

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