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双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610112702.4
  • IPC分类号:G02B6/12
  • 申请日期:
    2006-08-30
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器
申请号CN200610112702.4申请日期2006-08-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-03-05公开/公告号CN101135749
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/12IPC分类号G;0;2;B;6;/;1;2查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
北京市海淀区清华东路甲35号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院半导体研究所当前权利人中国科学院半导体研究所
发明人陈弘达;黄北举;刘海军;顾明
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人汤保平
摘要
一种双电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器,包括一SOI衬底;一二氧化硅掩埋层位于SOI衬底上;一p型单晶硅层为SOI衬底上的单晶硅,在p型单晶硅层的两侧形成栅氧化层;一p+注入层制作在p型单晶硅层的上面;一n型单晶硅层制作在二氧化硅掩埋层上及p型单晶硅层表面的栅氧化层的两侧,该n型单晶硅层和p型单晶硅层一起形成脊形波导结构;一n+注入层制作在n型单晶硅层脊形波导结构两侧的平面上;一金属接触层制作在p+注入层上面的中间位置及n+注入层上面的中间位置,分别形成调制器的正负电极;一氧化层,该氧化层制作在n型单晶硅层和p型单晶硅层的表面,起到保护作用。

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