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基板清洗方法、基板清洗装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200480033944.3
IPC分类号：H01L21/304;H01L21/306;B08B3/02
申请日期：
2004-11-12
申请人：
东京毅力科创株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	基板清洗方法、基板清洗装置
申请号	CN200480033944.3	申请日期	2004-11-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2006-12-20	公开/公告号	CN1883035
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/304 机械处理，例如研磨、抛光、切割〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;;;B;0;8;B;3;/;0;2查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	难波宏光;薮田贵士;折居武彦
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张天安;廖凌玲

摘要

边使晶片(W)大致呈水平姿态以既定转速旋转边向其表面以既定流量供给纯水，对晶片(W)进行冲洗处理，之后，减少对晶片(W)的纯水供给流量并使纯水供给点从晶片(W)的中心向外侧移动。由此，边在纯水供给点的大致外侧形成液膜边对晶片(W)进行自旋干燥处理。

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