在原子层沉积系统中在互连结构上沉积阻障层的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200780040881.8
IPC分类号：H01L21/20H01L21/36
申请日期：
2007-10-18
申请人：
朗姆研究公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	在原子层沉积系统中在互连结构上沉积阻障层的方法
申请号	CN200780040881.8	申请日期	2007-10-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-12-02	公开/公告号	CN101595550
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕	IPC分类号	H01L21/20;H01L21/36查看分类表>
申请人	朗姆研究公司	申请人地址	美国加利福*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	朗姆研究公司	当前权利人	朗姆研究公司
发明人	衡石·亚历山大·尹;弗里茨·雷德克
代理机构	上海胜康律师事务所	代理人	周文强;李献忠

摘要

本发明的各种实施方式提供了改进的工艺和系统，该工艺和系统生产具有随着薄膜厚度的增加而减少的氮浓度的阻障层。具有随着薄膜厚度的增加而减少的氮浓度的阻障层使得具有高氮浓度的阻障层末端与电介质层有良好的粘着性，且具有低氮浓度(或富含金属)的阻障层末端与铜有良好的粘着性。提供一种在互连结构上沉积阻障层的方法。该方法包括(a)提供原子层沉积环境，(b)在该原子层沉积环境中，在第一相位沉积期间，在该互连结构上沉积具有第一氮浓度的阻障层。该方法还包括(c)在该原子层沉积环境中，在第二相位沉积期间，继续在该互连结构上沉积具有第二氮浓度的阻障层。

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发明授权

在原子层沉积系统中在互连结构上沉积阻障层的方法

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