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一种半导体的连接不良检测装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110217948.2
  • IPC分类号:G01R31/26;G01R31/66
  • 申请日期:
    2021-02-26
  • 申请人:
    艾极倍特(上海)半导体设备有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体的连接不良检测装置
申请号CN202110217948.2申请日期2021-02-26
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-05-28公开/公告号CN112858868A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R31/26IPC分类号G;0;1;R;3;1;/;2;6;;;G;0;1;R;3;1;/;6;6查看分类表>
申请人艾极倍特(上海)半导体设备有限公司申请人地址
上海市奉贤区南桥镇八字桥路1919号2幢8层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人艾极倍特(上海)半导体设备有限公司当前权利人艾极倍特(上海)半导体设备有限公司
发明人黄澄珵;黄新生
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明一种半导体的连接不良检测装置,通过引线键合机、半导体的连接不良检测装置、超声波振荡器、A/D转换器、数字信号处理装置、数据存储装置、确定装置、焊接机控制装置等部件之间的相互配合,与现有技术相比,即使使用相同的半导体元件,电压和电流的有效值也会随着时间的流逝而变化,这是由于焊接机尖端的工具磨损和温度升高而引起的,但是使用常规平均值的设备可以应对这种波动,进而使得其判定标准不是恒定的,提高了测量的精准性。

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