含有铋作为构成元素的多元素氧化物单晶的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200480013927.3
IPC分类号：C30B29/22;C30B23/08;C30B25/18;C30B29/30;C30B29/32;C23C14/08;C23C16/40
申请日期：
2004-05-21
申请人：
独立行政法人科学技术振兴机构

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著录项信息

专利名称	含有铋作为构成元素的多元素氧化物单晶的制造方法
申请号	CN200480013927.3	申请日期	2004-05-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-06-21	公开/公告号	CN1791706
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/22 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕 C30B29/22 复合氧化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;2;2;;;C;3;0;B;2;3;/;0;8;;;C;3;0;B;2;5;/;1;8;;;C;3;0;B;2;9;/;3;0;;;C;3;0;B;2;9;/;3;2;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0查看分类表>
申请人	独立行政法人科学技术振兴机构	申请人地址	日本国埼玉县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	独立行政法人科学技术振兴机构	当前权利人	独立行政法人科学技术振兴机构
发明人	鲤沼秀臣;松本祐司;高桥龟太
代理机构	北京三幸商标专利事务所	代理人	刘激扬

摘要

本发明提供在制造(Bi2O2)Am-1BmO3m+1(A＝Sr，Ba，Ca，Bi等，B＝Ti，Ta，Nb)所示的这种含Bi作为构成元素的多元素氧化物单晶时，能以与制造方法无关地制造结晶性优异的氧化物单晶的方法。在基板上预先堆积助熔剂，其中助熔剂是以摩尔比0＜CuO/Bi2O3＜2、0≤TiO/Bi2O3＜7/6的组合物构成的助熔剂，通过该助熔剂堆积层在基板上堆积单晶薄膜。或者，将含有原料和助熔剂组成制作为由上述摩尔比的组合物形成的熔液，将其冷却培养单晶。或者，在基板上堆积由CuO形成的助熔剂后，使用与目标膜组成相比，Bi过剩的Bi6Ti3O12～Bi8Ti3O12作为标靶，通过堆积，将Bi-Ti-O供应给该助熔剂堆积层，同时在基板上形成Bi4Ti3O12的单结晶薄膜。

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