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一种使用热电分离设计的低温共烧陶瓷的LED光源的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610062008.6
IPC分类号：H01L33/00;H01L25/00;H01L25/075
申请日期：
2006-08-07
申请人：
陈盈君

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种使用热电分离设计的低温共烧陶瓷的LED光源的制备方法
申请号	CN200610062008.6	申请日期	2006-08-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-01-31	公开/公告号	CN1905223
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5查看分类表>
申请人	陈盈君	申请人地址	长治市城区北董村(城南机械工业园) 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长治虹源科技固态显示有限公司	当前权利人	长治虹源科技固态显示有限公司
发明人	陈盈君
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供了一种使用热电分离设计的低温共烧陶瓷的LED光源封装结构。对基板进行热电分离设计，采用专用导热柱和导热焊盘对LED进行散热，通过导通的银柱将LED芯片产生的热量传到外部的散热装置。并且提供了一种利用该封装结构来制备高亮度LED光源的方法。

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