页缓冲器和具有页缓冲器的半导体存储器装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202011098163.X
IPC分类号：G11C16/10
申请日期：
2020-10-14
申请人：
爱思开海力士有限公司

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著录项信息

专利名称	页缓冲器和具有页缓冲器的半导体存储器装置
申请号	CN202011098163.X	申请日期	2020-10-14
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-09-17	公开/公告号	CN113409848A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;0查看分类表>
申请人	爱思开海力士有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱思开海力士有限公司	当前权利人	爱思开海力士有限公司
发明人	朴康愚;蔡洙悦
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	董莘

摘要

本技术涉及一种页缓冲器和包括页缓冲器的半导体存储器装置。页缓冲器包括：第一锁存电路，其被配置为存储与第一编程状态和第二编程状态中的一个编程状态相对应的数据；位线控制器，其被连接至存储器块的位线，并且在编程验证操作中的位线预充电操作期间，通过根据存储在第一锁存电路中的数据向位线施加第一设置电压和第二设置电压中的一个设置电压，对位线进行预充电；以及第二锁存电路，通过主感测节点连接至位线控制器，并且被配置为在编程验证操作期间根据主感测节点的电位水平感测第一验证数据。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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