半导体装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02123012.9
IPC分类号：--
申请日期：
2002-06-13
申请人：
日本电气株式会社

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN02123012.9	申请日期	2002-06-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-01-15	公开/公告号	CN1391283
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	日本电气株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	饭塚敏洋;山本朝惠;户田麻美;山道新太郎
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	穆德骏;方挺

摘要

提供能够减少漏电流并且增加电容量的薄膜电容器。上部电极3及下部电极1是由选自TiN，Ti，W，WN，Pt，Ir，Ru的金属或者金属氮化物中的至少一种构成的。电容绝缘膜2则2由选自利用原子层淀积(Atomic Layer Deposition：以下称为ALD)法形成的ZrO2，HfO2，(Zrx，Hf1-x)O2(0＜x＜1)，(Zry，Ti1-y)O2(0＜y＜1)，(Hfz，Ti1-z)O2(0＜z＜1)或者(Zrk，Til，Hfm)O2(0＜k，l，m＜1并且k+l+m＝1)中的至少一种材料构成。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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