掺导电材料的PDMS复合膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711265572.2
IPC分类号：H02N1/04;C23C14/20;C23C14/35
申请日期：
2017-12-05
申请人：
重庆大学

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著录项信息

专利名称	掺导电材料的PDMS复合膜及其制备方法
申请号	CN201711265572.2	申请日期	2017-12-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-03-20	公开/公告号	CN107819409A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02N1/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02N 其他类目不包含的电机 H02N1/00 应用固体移动静电荷载体的静电发电机或电动机 H02N1/04 摩擦发电机	IPC分类号	H;0;2;N;1;/;0;4;;;C;2;3;C;1;4;/;2;0;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人	重庆大学	申请人地址	重庆市沙坪坝区沙正街174号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆大学	当前权利人	重庆大学
发明人	奚伊;赖美慧;胡陈果;张大志;张承双
代理机构	重庆市前沿专利事务所（普通合伙）	代理人	邹晓艳

摘要

本发明公开了一种掺导电材料提高纳米发电机摩擦层纵向电荷密度的PDMS复合膜及其制备方法，包括如下步骤：1)取衬底，取铝箔粘在衬底上；2)在铝箔上旋涂PDMS溶液，旋涂完即在真空腔中抽真空，然后加热固化；3)用磁控溅射方法在PDMS表面喷金；4)进行等离子体处理，旋涂PDMS溶液；5)真空腔中抽真空，加热固化；6)重复步骤3)至步骤5)，得到有不同金层数的PDMS金复合膜。本发明成功制得了一种有高的转移电荷密度，并同时具有生物相容性和低阻抗特性的G‑TENG，通过在摩擦面的近表面出埋下金层而增加内部电子区域从而增加TENG的输出，金层有利于电子在摩擦层内部漂移并起到捕获电子的作用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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